[发明专利]一种高质量晶圆级石墨烯单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201810432604.1 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110453280B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;程园;毕辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高质量晶圆级石墨烯单晶的制备方法，包括：将经等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气氛，然后升温至退火温度后再通入氢气进行退火处理，所述金属箔为铜箔、镍箔、钼箔、钴箔中的一种；向反应炉中导入碳源，调节退火温度至石墨烯单晶的生长温度后开始石墨烯单晶的生长，待生长结束后冷却至室温；所述等离子体处理的气氛为空气、氢气、氩气、氧气、氮气中的至少一种，功率为100～150W，压力为400～500Pa，时间为1～30分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 晶圆级 石墨 烯单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高质量晶圆级石墨烯单晶的制备方法，其特征在于，包括：/n将经等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气氛，然后升温至退火温度后再通入氢气进行退火处理，所述金属箔为铜箔、镍箔、钼箔、钴箔中的一种；/n向反应炉中导入碳源，调节退火温度至石墨烯单晶的生长温度后开始石墨烯单晶的生长，待生长结束后冷却至室温；/n所述等离子体处理的气氛为空气、氢气、氩气、氧气、氮气中的至少一种，功率为100～150W，压力为400～500Pa，时间为1～30分钟。/n
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