[发明专利]聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810411002.8 申请日: 2018-05-02
公开(公告)号: CN110438455A 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 江晓红;李贝贝;何纯;肖金涛;周兵兵;许正巍 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/12
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 刘海霞
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜的制备方法。所述方法将环丙沙星粉末与聚乳酸混合均匀,置于反应腔室,调整靶材与洁净的基底的距离为20~30cm,抽真空,镀膜,设置工作电流在7~9A,工作电压在0.8~1.8kV,采用低功率电子束沉积技术制备得到聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜。本发明制得的抗菌薄膜与基底的结合力强,致密性好,膜厚度可控,具有良好的抗菌性,可以用于人工假体的移植,消除局部炎症反应。
搜索关键词: 环丙沙星 抗菌薄膜 聚乳酸基 制备 基底 局部炎症反应 电子束沉积 反应腔室 工作电流 工作电压 厚度可控 人工假体 致密性好 抽真空 低功率 结合力 聚乳酸 抗菌性 靶材 镀膜 洁净 移植
【主权项】:
1.聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:将环丙沙星粉末与聚乳酸混合均匀,置于反应腔室,调整靶材与洁净的基底的距离为20~30cm,抽真空,镀膜,设置工作电流在7~9A,工作电压在0.8~1.8kV,采用低功率电子束沉积技术制备得到聚乳酸基环丙沙星抗菌薄膜。
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