[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法在审
| 申请号： | 201810401318.9 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110416326A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 赵树利;杨立红;叶亚宽;王磊 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，包括：在基板上依次形成钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜；通过热压印转移的方法，将石墨烯基复合薄膜转移到EVA薄膜表面，其中，石墨烯基复合薄膜包括石墨烯薄膜和设置在石墨烯薄膜上的纳米线。利用带有石墨烯复合薄膜的EVA薄膜封装所述钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜。本发明实施例所涉及的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，石墨烯基复合薄膜的厚度≤200nm，比起现有技术中的AZO薄膜约为800～1200nm的厚度，厚度明显变薄，石墨烯基复合薄膜的透光率可高达94％，同时电阻率低于8Ω/sq，具有优良的透光率和低电阻率，性能显著优于AZO薄膜，并且使用喷涂或旋涂的方法制作石墨烯基复合薄膜，降低了工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯基复合薄膜 铜铟镓硒太阳能电池 本征氧化锌薄膜 铜铟镓硒薄膜 硫化镉薄膜 石墨烯薄膜 制作 透光率 镀膜 钼层 石墨烯复合薄膜 低电阻率 工艺难度 电阻率 纳米线 热压印 变薄 基板 喷涂 旋涂 封装 | ||
【主权项】：
1.一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜；将石墨烯基复合薄膜转移到EVA薄膜表面，其中，石墨烯基复合薄膜包括石墨烯薄膜和设置在石墨烯薄膜上的纳米线；利用带有石墨烯复合薄膜的EVA薄膜封装所述钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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