[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法

说明书

本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，包括：在基板上依次形成钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜；通过热压印转移的方法，将石墨烯基复合薄膜转移到EVA薄膜表面，其中，石墨烯基复合薄膜包括石墨烯薄膜和设置在石墨烯薄膜上的纳米线。利用带有石墨烯复合薄膜的EVA薄膜封装所述钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜。本发明实施例所涉及的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，石墨烯基复合薄膜的厚度≤200nm，比起现有技术中的AZO薄膜约为800～1200nm的厚度，厚度明显变薄，石墨烯基复合薄膜的透光率可高达94％，同时电阻率低于8Ω/sq，具有优良的透光率和低电阻率，性能显著优于AZO薄膜，并且使用喷涂或旋涂的方法制作石墨烯基复合薄膜，降低了工艺难度。

技术领域

本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，特别地涉及一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法。

背景技术

铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池组件，通常都是利用氧化锌铝(AZO)充当透明导电层(TCO)，作为电池芯片的前电极，用来收集电池产生的光电流。AZO层在CIGS薄膜太阳能电池组件中的位置，如图1中的6所示。为了提高CIGS薄膜太阳能电池组件的转换效率，要求AZO层需同时具备较高的透光率和较低的电阻率。

AZO通常是利用真空磁控溅射镀膜设备进行制备，根据Al2O3的掺杂浓度以及磁控溅射制备工艺的不同，AZO层的透光率和电阻率也存在差异。目前的CIGS薄膜太阳能电池组件中，AZO的厚度约为800～1200nm。

AZO薄膜通常是利用真空磁控溅射镀膜设备进行制备，真空磁控溅射镀膜设备占地空间比较大，且设备价格较高，维护成本高。另一方面，受限于AZO本身导电性和透光率的负相关关系，即AZO的厚度越大，导电性越好，但同时透过率越低，导致目前工艺条件下，AZO的厚度需要达到800～1200nm，才能兼顾较好的导电性和透过率。此外，AZO的薄膜性质依赖于AZO靶材的结构和组分，并且要求具有可靠、稳定的制备工艺，对制备工艺要求高，制备难度大。

发明内容

针对现有技术中存在的技术问题，本发明提出了一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，降低了透明导电层的厚度和对制备工艺的要求。

本发明的一个方面提供了一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，包括：

在基板上依次形成钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜；

通过热压印转移的方法，将石墨烯基复合薄膜转移到EVA薄膜表面，其中，石墨烯基复合薄膜包括石墨烯薄膜和设置在石墨烯薄膜上的纳米线；

利用带有石墨烯复合薄膜的EVA薄膜封装所述钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜。其中，所述方法还包括：

喷涂或旋涂金属纳米线网络结构到在石墨烯薄膜上，合成所述石墨烯基复合薄膜。

其中，所述石墨烯薄膜包括单层或少层石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的厚度为0～1nm。

其中，所述石墨烯基复合薄膜的厚度为0～200nm。

其中，所述在基板上依次形成钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜之后，还包括：

真空磁控溅射沉积AZO到本征氧化锌薄膜，形成AZO层，AZO层的厚度是20～400nm。

其中，所述纳米线包括非金属纳米线。

其中，所述非金属纳米线包括碳纳米管。

其中，所述纳米线包括至少一种金属纳米线。

其中，所述纳米线设置在本征氧化锌薄膜的一面。

其中，所述纳米线设置在远离本征氧化锌薄膜的一面。