[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法在审
| 申请号： | 201810401318.9 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110416326A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 赵树利;杨立红;叶亚宽;王磊 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯基复合薄膜 铜铟镓硒太阳能电池 本征氧化锌薄膜 铜铟镓硒薄膜 硫化镉薄膜 石墨烯薄膜 制作 透光率 镀膜 钼层 石墨烯复合薄膜 低电阻率 工艺难度 电阻率 纳米线 热压印 变薄 基板 喷涂 旋涂 封装 | ||
1.一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上依次形成钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜；
将石墨烯基复合薄膜转移到EVA薄膜表面，其中，石墨烯基复合薄膜包括石墨烯薄膜和设置在石墨烯薄膜上的纳米线；
利用带有石墨烯复合薄膜的EVA薄膜封装所述钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
喷涂或旋涂金属纳米线网络结构到石墨烯薄膜上，合成所述石墨烯基复合薄膜。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜包括单层或少层石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的厚度为0～1nm。
4.根据权利要求1、2或3任一项所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，所述石墨烯基复合薄膜的厚度为0～200nm。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，在基板上依次形成钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜，还包括：
沉积AZO到本征氧化锌薄膜，形成AZO层，AZO层的厚度是20～400nm。
6.根据权利要求2所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，所述纳米线包括非金属纳米线。
7.根据权利要求6所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，所述非金属纳米线包括碳纳米管。
8.根据权利要求2所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，所述纳米线包括至少一种金属纳米线。
9.根据权利要求2所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，所述纳米线设置在靠近本征氧化锌薄膜的一面。
10.根据权利要求2所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，所述纳米线设置在远离本征氧化锌薄膜的一面。
11.根据权利要求8所述的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，所述在基板上依次形成钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜，包括：
沉积钼到基板上，形成钼层镀膜；
沉积铜、铟、镓、硒到钼层镀膜，形成铜铟镓硒薄膜；
沉积硫化镉到铜铟镓硒薄膜，形成硫化镉薄膜；
沉积本征氧化锌到硫化镉薄膜，形成本征氧化锌薄膜。
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