[发明专利]一种BDD膜电极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810386838.7 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN108486546B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 徐帅;闫宁;范波;吴啸;郭兴星;吴晓磊 申请(专利权)人: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/32;C23C16/511;C23C16/02;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;C23C28/00;C02F1/461
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 时立新;张丽
地址: 450001 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提供了一种BDD膜电极材料及其制备方法,属于金刚石膜电极材料领域,以钼、钨或导电硅为基材,基材进行粗化处理使基材表面获得Ra0.5‑1μm的粗糙度,在基材表面沉积过渡层,然后,在所述过渡层表面形成碳化物后进行金刚石的形核和生长,且在金刚石成核期加入含硼物得到含硼的金刚石层,其中,所述过渡层为能够形成共价键碳化物的过渡族金属,所述过渡层与基材形成合金或化合物。本发明得到致密的金刚石层结构,消除了电解产生的离子对基材的损害,有利于获得金刚石膜电极材料长的使用寿命。本发明可实现基材与金刚石层的紧密结合,消除了热膨胀系数差异产生的热应力导致的金刚石层的剥落。
搜索关键词: 一种 bdd 电极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种BDD膜电极材料的制备方法,其特征是,以钼、钨或导电硅为基材,基材进行粗化处理使基材表面获得Ra0.5‑1μm的粗糙度,在基材表面沉积过渡层,然后,在所述过渡层表面形成碳化物后进行金刚石的形核和生长,且在金刚石成核期与生长期加入含硼物得到含硼的金刚石层,其中,所述过渡层为能够形成共价键碳化物的过渡族金属,所述过渡层与基材形成合金或化合物。
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