[发明专利]沉积薄膜的方法及制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种在半导体衬底的图案结构上沉积薄膜的方法及制造半导体装置的方法，所述方法包含(a)供应源气体；(b)供应反应气体；以及(c)供应等离子体，其中步骤(a)、步骤(b)以及步骤(c)在反应空间内的半导体衬底上依序重复，直到获得所要厚度为止，且等离子体的频率为60兆赫兹或更高的高频。本发明也提供制造半导体装置的方法。本发明的方法在后续湿式蚀刻工艺中增强湿式蚀刻速率(WER)的保形性，并且还防止下部图案结构的损坏且因此增强临界尺寸(CD)均匀性。

主权项

1.一种在半导体衬底的图案结构上沉积薄膜的方法，其特征在于，包括：步骤a、供应源气体；步骤b、供应反应气体；以及步骤c、供应等离子体，其中所述步骤a、所述步骤b以及所述步骤c在反应空间内的所述半导体衬底上依序重复，直到获得所要厚度为止，以及所述等离子体的频率为至少60兆赫兹或更高的高频。