[发明专利]干刻蚀设备在审
| 申请号： | 201810367956.3 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108565231A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王帆 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种干刻蚀设备。该干刻蚀设备包括腔体、设于所述腔体内并相对间隔设置的上电极和下电极、设于所述腔体外并与下电极连接的多个运动轴以及设于所述腔体外与多个运动轴均连接的第一调节装置；所述运动轴用于控制下电极上下移动；所述第一调节装置用于带动多个运动轴同时运动，使下电极整体上下运动，从而调节所述下电极与上电极的间距，改变下电极与上电极之间的电场强度，进而改变干刻蚀设备的刻蚀效率，改善刻蚀的均匀性，提高生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 下电极 干刻蚀设备 运动轴 电极 腔体 调节装置 间隔设置 刻蚀效率 上下移动 上下运动 均匀性 刻蚀 良率 体内 生产 | ||
【主权项】：
1.一种干刻蚀设备，其特征在于，包括腔体(10)、设于所述腔体(10)内并相对间隔设置的上电极(20)和下电极(30)、设于所述腔体(10)外并与下电极(30)连接的多个运动轴(31)以及设于所述腔体(10)外与多个运动轴(31)均连接的第一调节装置(32)；所述运动轴(31)用于控制下电极(30)上下移动；所述第一调节装置(32)用于带动多个运动轴(31)同时运动，使下电极(30)整体上下运动，从而调节所述下电极(30)与上电极(20)的间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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