[发明专利]干刻蚀设备在审

申请号：	201810367956.3	申请日：	2018-04-23
公开（公告）号：	CN108565231A	公开（公告）日：	2018-09-21
发明（设计）人：	王帆	申请（专利权）人：	武汉华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	深圳市德力知识产权代理事务所 44265	代理人：	林才桂
地址：	430070 湖北省武汉市***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	下电极干刻蚀设备运动轴电极腔体调节装置间隔设置刻蚀效率上下移动上下运动均匀性刻蚀良率体内生产
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【权利要求书】：

1.一种干刻蚀设备，其特征在于，包括腔体(10)、设于所述腔体(10)内并相对间隔设置的上电极(20)和下电极(30)、设于所述腔体(10)外并与下电极(30)连接的多个运动轴(31)以及设于所述腔体(10)外与多个运动轴(31)均连接的第一调节装置(32)；

所述运动轴(31)用于控制下电极(30)上下移动；

所述第一调节装置(32)用于带动多个运动轴(31)同时运动，使下电极(30)整体上下运动，从而调节所述下电极(30)与上电极(20)的间距。

2.如权利要求1所述的干刻蚀设备，其特征在于，还包括设于所述腔体(10)外并与多个运动轴(31)一一对应连接的多个第二调节装置(33)。

3.如权利要求2所述的干刻蚀设备，其特征在于，还包括与所述腔体(10)、第一调节装置(32)及第二调节装置(33)均电性连接的控制模块(40)；所述控制模块(40)用于获取腔体(10)内的刻蚀速率，并根据刻蚀速率控制所述第一调节装置(32)和第二调节装置(33)调节所述下电极(30)与上电极(20)的间距。

4.如权利要求3所述的干刻蚀设备，其特征在于，当刻蚀速率高于一预设的阈值时，所述控制模块(40)控制所述第一调节装置(32)和第二调节装置(33)增大下电极(30)与上电极(20)的间距。

5.如权利要求3所述的干刻蚀设备，其特征在于，当刻蚀速率低于一预设的阈值时，所述控制模块(40)控制所述第一调节装置(32)和第二调节装置(33)减小下电极(30)与上电极(20)的间距。

6.如权利要求2所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述第一调节装置(32)和第二调节装置(33)均通过链条(34)与运动轴(31)连接。

7.如权利要求1所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述运动轴(31)位于下电极(30)的边缘区域。

8.如权利要求7所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述下电极(30)的形状为矩形；所述运动轴(31)的数量为4个，且分布于下电极(30)的四个角。

9.如权利要求1所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述第一调节装置(32)与第二调节装置(33)均为电机。

10.如权利要求1所述的干刻蚀设备，其特征在于，所述下电极(30)与上电极(20)之间平行设置。

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