[发明专利]干刻蚀设备

说明书

本发明提供一种干刻蚀设备。该干刻蚀设备包括腔体、设于所述腔体内并相对间隔设置的上电极和下电极、设于所述腔体外并与下电极连接的多个运动轴以及设于所述腔体外与多个运动轴均连接的第一调节装置；所述运动轴用于控制下电极上下移动；所述第一调节装置用于带动多个运动轴同时运动，使下电极整体上下运动，从而调节所述下电极与上电极的间距，改变下电极与上电极之间的电场强度，进而改变干刻蚀设备的刻蚀效率，改善刻蚀的均匀性，提高生产良率。

技术领域

本发明涉及显示技术制程领域，尤其涉及一种干刻蚀设备。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(Color Filter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的LCD而言，LTPS TFT由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的TFT实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了TFT所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度。

在液晶显示及芯片制造行业，均采用干刻蚀(Dry Etch)工艺，在干刻蚀设备制程腔(process chamber)中在对产品进行刻蚀时，对刻蚀速率(Etch Rate)的均匀性具有很高的要求，保证刻蚀的一致性，然而现有的干刻蚀设备制程腔中的刻蚀速率均匀性较差，通过调整制程腔内的制程气体的配比来改善刻蚀速率的均匀性，改善空间有限，无法满足高品质的产品的生产。

发明内容

本发明的目的在于提供一种干刻蚀设备，刻蚀均匀性好，生产良率高。

为实现上述目的，本发明提供了一种干刻蚀设备，包括腔体、设于所述腔体内并相对间隔设置的上电极和下电极、设于所述腔体外并与下电极连接的多个运动轴以及设于所述腔体外与多个运动轴均连接的第一调节装置；

所述运动轴用于控制下电极上下移动；

所述第一调节装置用于带动多个运动轴同时运动，使下电极整体上下运动，从而调节所述下电极与上电极的间距。

所述干刻蚀设备还包括设于所述腔体外并与多个运动轴一一对应连接的多个第二调节装置。

所述干刻蚀设备还包括与所述腔体、第一调节装置及第二调节装置均电性连接的控制模块；所述控制模块用于获取腔体内的刻蚀速率，并根据刻蚀速率控制所述第一调节装置和第二调节装置调节所述下电极与上电极的间距。

当刻蚀速率高于一预设的阈值时，所述控制模块控制所述第一调节装置和第二调节装置增大下电极与上电极的间距。

当刻蚀速率低于一预设的阈值时，所述控制模块控制所述第一调节装置和第二调节装置减小下电极与上电极的间距。

所述第一调节装置和第二调节装置均通过链条与运动轴连接。

所述运动轴位于下电极的边缘区域。