[发明专利]RFLDMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS器件，其N型轻掺杂漂移区是分为上下两层，第一N型轻掺杂漂移区是从多晶硅栅极下方直至包围漏区，第二N型轻掺杂漂移区靠漏区一侧是与第一N型轻掺杂漂移区的垂直投影重叠，靠多晶硅栅极一侧是不超出第一N型轻掺杂漂移区的投影范围；两部分N型轻掺杂漂移区电学相通；所述的法拉第环为上下两层，且两层法拉第环之间以介质层隔离。本发明通过增加一层法拉第环，降低了栅极边缘靠近漏端的电场强度，同时采用两次轻掺杂漂移区分段注入，可以保证在得到较大功率密度的同时，又不增大栅极边缘靠近漏端的电场强度，也就是保证了高性能下的可靠性。本发明还公开了所述RFLDMOS器件的制造方法，工艺简单易于实施。

主权项

1.一种RFLDMOS器件，包含：在P型硅衬底上，具有轻掺杂P型外延；在轻掺杂P型外延中，具有N型轻掺杂漂移区及P型体区，N型轻掺杂漂移区与P型体区之间为沟道区；所述N型轻掺杂漂移区中，包含所述RFLDMOS器件的漏区，漏区表面具有金属硅化物引出所述RFLDMOS器件的漏极；所述P型体区中包含有RFLDMOS器件的源区，以及将P型体区引出的重掺杂P型区；在重掺杂P型区及源区之上的硅表面还具有金属硅化物将两者共同引出形成所述RFLDMOS器件的源极；所述重掺杂P型沟道连接区和RFLDMOS的源区表面覆盖一层金属硅化物引出所述RFLDMOS的源极；在P型沟道区的硅表面上具有栅氧化层，栅氧化层上覆盖多晶硅栅极及金属硅化物；多晶硅栅极及栅氧化层两端具有栅极侧墙；多晶硅栅极上的金属硅化物、靠漏侧的侧墙以及靠近多晶硅栅极的N型轻掺杂漂移区上均包裹介质层，介质层上覆盖金属法拉第环；所述P型硅衬底的背面还具有背面金属以形成衬底电极；其特征在于：所述的N型轻掺杂漂移区是分为第一及第二两部分，第一N型轻掺杂漂移区是从多晶硅栅极下方直至包围漏区，第二N型轻掺杂漂移区靠漏区一侧是与第一N型轻掺杂漂移区的垂直投影重叠，靠多晶硅栅极一侧是不超出第一N型轻掺杂漂移区的投影范围；两部分N型轻掺杂漂移区电学相通；所述的法拉第环为上下两层，且两层法拉第环之间以介质层隔离。