[发明专利]一种掩膜版及其制造方法

摘要

本发明提供一种掩膜版及其制造方法，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，所述衬底内具有贯穿所述衬底的多个开口，所述衬底的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；位于所述第一表面的掩膜图形层，所述掩膜图形层的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；所述掩膜图形层具有图形区和遮挡区，所述图形区具有至少一个通孔，所述开口暴露出所述图形区，每一所述开口与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔，所述遮挡区位于所述图形区的外侧、与所述衬底相对。该掩膜版的质量高，并且精准度更高，在将所述掩膜版用于有机层的蒸镀工艺时，可以提高有机层的沉积质量，提高后期产品的质量。

主权项

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，所述衬底内具有贯穿所述衬底的多个开口，所述衬底的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；位于所述第一表面的掩膜图形层，所述掩膜图形层的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；所述掩膜图形层具有图形区和遮挡区，每一所述图形区具有至少一个通孔，所述开口暴露出所述图形区，每一所述开口与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔，所述遮挡区位于所述图形区的外侧、与所述衬底相对。