[发明专利]一种高抗疲劳性的铁电栅场效应晶体管存储器及制备工艺

摘要

本发明提供一种高抗疲劳性的铁电栅场效应晶体管存储器及制备工艺，通过在源/漏区以及绝缘层形成之前，通过硅表面平坦化技术，优化器件制备工艺，从而达到提高绝缘层质量，改善绝缘层与硅界面，提高氧化铪基铁电栅场效应晶体管存储器抗疲劳性能的效果。

主权项

1.一种高抗疲劳性的铁电栅场效应晶体管存储器的制备工艺，其特征在于，具体步骤包括：提供衬底；在所述衬底上形成的隔离层；在所述衬底上形成的有源区；在所述有源区上形成经过平坦化的表面；在所述平坦化过的有源区上形成的源区和漏区；所述平坦化过的硅表面形成的沟道；在所述沟道层上形成的绝缘层‑铁电层‑电极(MFIS)栅堆垛结构；在所述源区和漏区上形成的金属焊盘Pad。