[发明专利]切割芯片接合薄膜有效
| 申请号： | 201810339937.X | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108727999B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;大和道子;井上真一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/24 | 分类号： | C09J7/24;C09J133/08;C09J161/06;C09J11/04;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与所述切割带中的所述粘合剂层可剥离地密合，所述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。
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