[发明专利]切割芯片接合薄膜

权利要求书

1.一种切割芯片接合薄膜，其包含：

切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和

粘接剂层，其与所述切割带中的所述粘合剂层可剥离地密合，

所述粘合剂层含有丙烯酸类聚合物，所述丙烯酸类聚合物含有来自具有碳数10以上的烷基的(甲基)丙烯酸酯的构成单元，

所述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～17.8MPa。

2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层为辐射线固化型粘合剂层，在温度23℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中的、辐射线固化后的所述粘合剂层与所述粘接剂层之间的剥离力为0.06～0.25N/20mm。

3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，在温度23℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中的、辐射线固化前的所述粘合剂层与所述粘接剂层之间的剥离力为2N/20mm以上。

4.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，在所述粘合剂层与所述粘接剂层的接触面中，所述粘合剂层表面的表面粗糙度Ra与所述粘接剂层表面的表面粗糙度Ra之差为100nm以下。

5.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层含有第1丙烯酸类聚合物，所述第1丙烯酸类聚合物含有来自具有碳数10以上的烷基的(甲基)丙烯酸酯的构成单元和来自(甲基)丙烯酸2-羟乙酯的构成单元。

6.根据权利要求5所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述第1丙烯酸类聚合物中的来自具有碳数10以上的烷基的(甲基)丙烯酸酯的构成单元相对于来自(甲基)丙烯酸2-羟乙酯的构成单元的摩尔比率为1～40。

7.根据权利要求5所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述第1丙烯酸类聚合物包含来自含有不饱和官能团的异氰酸酯化合物的构成单元，所述第1丙烯酸类聚合物中的来自含有不饱和官能团的异氰酸酯化合物的构成单元相对于来自(甲基)丙烯酸2-羟乙酯的构成单元的摩尔比率为0.1～2。

8.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层在温度23℃、剥离速度300mm/分钟、角度180°的条件下对SUS的粘合力为0.1～20N/10mm。

9.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层在23℃下的储能模量为100～4000MPa。

10.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层的外周端在薄膜面内方向位于距所述粘合剂层的外周端1000μm以内的距离处。