[发明专利]切割芯片接合薄膜

说明书

提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。

技术领域

本发明涉及切割芯片接合薄膜。更详细而言，本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割芯片接合薄膜。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，在得到具有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合用粘接剂层的半导体芯片的过程中有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有对应于作为加工对象的半导体晶圆的尺寸，例如具有由基材和粘合剂层构成的切割带、和与该粘合剂层侧可剥离地密合的芯片接合薄膜(粘接剂层)。

作为使用切割芯片接合薄膜得到带有粘接剂层的半导体芯片的方法之一，已知经过扩展切割芯片接合薄膜中的切割带、从而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法首先在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如按照此后与芯片接合薄膜一起被割断、能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。然后，为了割断切割带上的芯片接合薄膜，使用扩展装置沿着包含半导体晶圆的径向和圆周方向的二维方向拉伸切割芯片接合薄膜的切割带。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处对位于芯片接合薄膜上的半导体晶圆进行割断，使半导体晶圆在切割芯片接合薄膜或切割带上单片化为多个半导体芯片。然后，对于切割带上的割断后的多个带有芯片接合薄膜的半导体芯片，为了拓宽间隔距离再次进行扩展工序。然后，例如在经过清洗工序后，利用拾取机构的针状构件将各半导体芯片和与其密合且尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一起从切割带的下侧顶起，从切割带上进行拾取。由此得到带有芯片接合薄膜即粘接剂层的半导体芯片。该带有粘接剂层的半导体芯片借助其粘接剂层通过芯片接合固定到安装基板等被粘物上。关于涉及如以上那样使用的切割芯片接合薄膜的技术，例如记载于下述专利文献1～3。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2010-177401号公报

专利文献3：日本特开2016-115804号公报

发明内容

发明要解决的问题

图14是以其剖视图示出以往类型的切割芯片接合薄膜Y的图。切割芯片接合薄膜Y由切割带60和芯片接合薄膜70构成。切割带60具有基材61与发挥粘合力的粘合剂层62的层叠结构。芯片接合薄膜70通过粘合剂层62的粘合力与粘合剂层62密合。这样的切割芯片接合薄膜Y具有圆盘形状，其尺寸对应于作为半导体装置的制造过程中的加工对象或工件的半导体晶圆，可被用于上述扩展工序。例如，如图15所示，以半导体晶圆81贴合于芯片接合薄膜70、且环形框82贴合于粘合剂层62的状态实施上述扩展工序。半导体晶圆81例如按照能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。环形框82为框构件，在贴附于切割芯片接合薄膜Y的状态下，在扩展装置所具备的输送臂等输送机构搬送工件时进行机械抵接。以往类型的切割芯片接合薄膜Y按照这样的环形框82可通过切割带60的粘合剂层62的粘合力固定于该薄膜的方式而设计。即，以往类型的切割芯片接合薄膜Y具有如下设计：在切割带60的粘合剂层62中，在芯片接合薄膜70的周围确保了环形框粘贴用区域。在这种设计中，粘合剂层62的外周端62e与芯片接合薄膜70的外周端70e在薄膜面内方向的距离为10～30mm左右。