[发明专利]半导体存储器结构及其制备方法

摘要

本公开提供一种半导体存储器结构及其制备方法。该半导体存储器结构包括一基底、多个第一沟渠，设置在该基底中、多个第二沟渠，设置在基底中且与所述第一沟渠间隔开、多条埋入式数字线，设置在第一沟渠中，以及多条埋入式字元线，设置在第二沟渠中。所述第一沟渠包括一第一深度，所述第二沟渠包括一第二深度。所述第二沟渠的该第二深度大于所述第一沟渠的该第一深度。所述埋入式字元线的顶表面低于所述埋入式数字线的底表面。

主权项

1.一种半导体存储器结构，包括：一基底；多个第一沟渠，设置在该基底上，所述第一沟渠包括一第一深度；多个第二沟渠，设置在该基底上，且与所述第一沟渠间隔开，其中所述第二沟渠包括一第二深度，且该第二深度大于该第一深度；多条埋入式数字线，设置在所述第一沟渠中；以及多条埋入式字元线，设置在所述第二沟渠中；其中所述埋入式字元线的顶表面低于所述埋入式数字线的底表面。