[发明专利]非易失性存储器器件及操作其的方法在审

专利信息
申请号: 201810325034.6 申请日: 2018-04-12
公开(公告)号: CN109410999A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 全秀昶;高贵汉;郭东勋;金真怜 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/30;G11C16/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种由非易失性存储器器件进行的方法,该方法可以包含:发起对应于多个编程循环当中的第一编程循环的第一编程操作;在第一编程操作期间接收紧急读取操作的暂停命令;基于暂停命令,从与接收暂停命令同时的第一时刻和在完成第一编程操作之后的第二时刻两者之一确定复原时刻;以及通过将复原电压施加到所选择的字线,在所确定的复原时刻发起复原。
搜索关键词: 暂停命令 复原 非易失性存储器器件 编程操作 编程循环 编程操作期间 读取操作 复原电压 字线 施加
【主权项】:
1.一种由非易失性存储器器件进行的方法,所述方法包括:发起对应于多个编程循环当中的第一编程循环的第一编程操作;在所述第一编程操作期间接收紧急读取操作的暂停命令;基于所述暂停命令,从与接收所述暂停命令同时的第一时刻和在完成所述第一编程操作之后的第二时刻两者之一确定复原时刻;以及通过将复原电压施加到所选择的字线,在所确定的所述复原时刻发起复原。
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