[发明专利]非易失性存储器器件及操作其的方法

说明书

提供了一种由非易失性存储器器件进行的方法，该方法可以包含：发起对应于多个编程循环当中的第一编程循环的第一编程操作；在第一编程操作期间接收紧急读取操作的暂停命令；基于暂停命令，从与接收暂停命令同时的第一时刻和在完成第一编程操作之后的第二时刻两者之一确定复原时刻；以及通过将复原电压施加到所选择的字线，在所确定的复原时刻发起复原。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年8月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0104140的优先权，其公开通过引用全部并入本文。

技术领域

一些示例性实施例提供在编程操作期间高效地进行接收到的紧急读取请求的非易失性存储器器件以及操作非易失性存储器器件的方法。

背景技术

一些示例性实施例涉及存储器器件及其操作方法，并且更特别地，涉及在编程操作期间进行紧急读取请求的非易失性存储器器件及其操作方法。

半导体存储器器件是通过使用半导体(诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))来实现的存储器器件。半导体存储器器件总体上分类为易失性半导体存储器器件和非易失性半导体存储器器件。

非易失性存储器器件是其中储存的数据即使在电力供给切断时也不会消失的存储器器件。非易失性存储器器件可以包含只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电力EPROM(EEPROM)、闪速存储器器件、相变随机存取存储器(RAM)(PRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、以及铁电式RAM(FRAM)。闪速存储器器件可以大致分类为NOR型和NAND型。

发明内容

根据一些示例性实施例，提供了由非易失性存储器器件进行的方法。该方法包含发起对应于多个编程循环当中的第一编程循环的第一编程操作。该方法还包含在第一编程操作期间接收紧急读取的暂停命令。该方法还包含，基于暂停命令，从与接收暂停命令同时的第一时刻和在完成第一编程操作之后的第二时刻两者之一确定复原时刻。此外，该方法包含，通过将复原电压施加到所选择的字线，在所确定的复原时刻发起复原。

根据一些示例性实施例，提供了由非易失性存储器器件进行的方法。该方法包含通过将多个阶梯式增加的供给电压顺序地施加到对应于编程命令的所选择的字线来增加所选择的字线的电压电平。该方法还包含在增加期间接收紧急读取操作的暂停命令。该方法还包含响应于基于暂停命令的复原时刻来确定复原模式。另外，该方法包含根据所确定的复原模式进行复原；以及，响应于读取命令来进行紧急读取操作，其中复原模式是取消模式和循环模式两者之一，在取消模式中，与接收暂停命令同时进行复原，在循环模式中，在将所选择的字线的电压电平增加到目标电压之后进行复原。

根据一些示例性实施例，提供非易失性存储器器件，其包含执行存储在非瞬态计算机可读储存器中的计算机可读指令的至少一个处理器，处理器配置为，响应于编程命令将编程电压施加到所选择的字线，以增加所选择的字线的电压电平来进行编程操作，在编程操作期间，响应于接收紧急读取操作的暂停命令，根据复原模式将复原电压施加到所选择的字线，并且基于接收到的暂停命令确定复原模式，其中复原模式是取消模式和循环模式两者之一，在取消模式中，在完成对应于编程命令的第一编程循环之前施加复原电压，在循环模式中，在完成第一编程循环之后施加复原电压。

附图说明

根据下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解一些示例性实施例，附图中：

图1是示出根据一些示例性实施例的非易失性存储器系统的框图；

图2是示出根据一些示例性实施例的非易失性存储器器件的框图；

图3是示出根据一些示例性实施例的确定复原模式并且进行复原操作的非易失性存储器器件的操作的流程图；