[发明专利]MEMS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810322117.X | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110366083B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;郭亮良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法，在基底的正面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成振动膜及极板，在所述基底的背面形成背腔，所述背腔暴露出所述振动膜且背向所述间隙，并且保留部分所述第一绝缘层作为所述振动膜的支撑部，所述振动膜相对于所述支撑部在所述振动膜上的投影中心对称，并保留所述背腔中与所述支撑部具有正对面积的基底作为所述支撑部的支撑基底，所述振动膜在振动时，在所述振动膜的边缘与中心之间的中间位置发生振动，增大了有效振动区域，由此提高了MEMS器件的灵敏度及信噪比，同时减小了振动的幅度，降低了灵敏度及信噪比的波动范围；同时减小了在机械可靠性试验中施加到振动膜上的力，从而增加MEMS器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有正面与背面；在所述基底的正面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成振动膜和极板，所述极板位于所述振动膜上且与所述振动膜绝缘隔离，所述极板和所述振动膜之间形成有间隙，在所述极板中形成有连通所述间隙的通孔；在所述基底的背面形成背腔，所述背腔暴露出所述振动膜且背向所述间隙，并且保留部分所述第一绝缘层作为所述振动膜的支撑部，所述振动膜相对于所述支撑部在所述振动膜上的投影中心对称，并且所述背腔中保留有与所述支撑部具有正对面积的基底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810322117.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微型防水扬声器结构
- 下一篇：一种半导体器件及其制备方法和电子装置
