[发明专利]覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法

摘要

本发明提供一种覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法，其中，本发明覆晶芯片取裸片的制备方法包括：提供覆晶芯片，覆晶芯片包括裸片及封装于裸片的外部的封装结构，裸片的正面具有锡球；研磨封装结构，直至裸露出裸片正面的锡球；采用淋酸蚀刻的方式蚀刻裸片的正面，去除裸片正面的锡球、残留的封装结构，达到裸片正面完全开封以得到裸片样品。本发明覆晶芯片取裸片的制备方法不需要用酸煮沸去除封装结构，而是研磨掉封装结构的一部分，再使用淋酸蚀刻的方式去除锡球和裸片正面的封装结构，从而获得裸片，不会造成崩边或裂痕，使用此裸片进行其他实验时，可排除人为因素对裸片的影响，提高了实验准确性，具有优异的技术效果。

主权项

1.一种覆晶芯片取裸片的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供覆晶芯片，所述覆晶芯片包括裸片及封装于所述裸片的外部的封装结构，所述裸片的正面具有锡球；研磨所述封装结构，直至裸露出所述裸片正面的所述锡球；采用淋酸蚀刻的方式蚀刻所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述锡球、残留的封装结构，达到所述裸片正面完全开封以得到裸片样品。