[发明专利]一种滤蓝光增透膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810294083.8 申请日: 2018-04-04
公开(公告)号: CN108717212B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 郑清洪;陈礼辉;黄六莲;欧阳新华;黄瑾 申请(专利权)人: 福建农林大学
主分类号: G02B1/115 分类号: G02B1/115;G02B5/20;C23C14/35;C23C14/08
代理公司: 福州智理专利代理有限公司 35208 代理人: 王义星
地址: 350002 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种滤蓝光增透膜及其制备方法,具体是指在透明基材上生长滤蓝光增透膜,所述增透膜从基材的内面到外依次设有ZnxCd1‑xO膜层、Al2O3膜层、ZnxCd1‑xO膜层、Al2O3膜层,所述滤蓝光增透膜的制备方法是在磁控溅射,可根据实际的应用需求,通过调节ZnxCd1‑xO膜层中的Cd组分x可制备不同吸收边波长λ的滤蓝光增透膜,滤蓝光增透膜对300~(λ‑15)nm波段范围的蓝光的平均吸收率大于99%,而对(λ+15)~780nm波段范围的可见光的平均透射率大于95%;该增透膜所设计的膜系结构简单,工艺容易实现,可以实现工业化生产。
搜索关键词: 增透膜 蓝光 制备 膜层 波段 吸收率 平均透射率 吸收边波长 可见光 磁控溅射 膜系结构 透明基材 应用需求 基材 内面 生长
【主权项】:
1.一种滤蓝光增透膜,其特征在于所述滤蓝光增透膜为不同吸收边波长λ的滤蓝光增透膜;所述滤蓝光增透膜的吸收边波长λ的值为400‑500nm,滤蓝光增透膜对300~(λ‑15)nm波段范围的蓝光的平均吸收率大于99%,而对(λ+15)~780nm波段范围的可见光的平均透射率大于95%;所述滤蓝光增透膜从基材(1)的内面到外依次设有第一层CdxZn1‑xO膜层(2)、第二层Al2O3膜层(3)、第三层CdxZn1‑xO膜层(4)、第四层Al2O3膜层(5);所述第一层CdxZn1‑xO膜层(2)和第三层CdxZn1‑xO膜层(4)中的Cd组分x值为0.1‑0.3,对应滤蓝光增透膜的吸收边波长λ的值为400‑500nm;所述滤蓝光增透膜由下述方法制备的:1)根据滤蓝光增透膜预期吸收边波长λ确定第一层CdxZn1‑xO薄膜(2)和第三层CdxZn1‑xO膜层(4)中的Cd组分x值;2)通过薄膜光学的基本知识和分析方法,结合软件进行优化,使滤蓝光增透膜在(λ+15)~780nm波段范围内的平均透射率大于95%,模拟计算得到第一层CdxZn1‑xO膜层(2)的厚度h1、第二层Al2O3膜层(3)的厚度h2、第三层CdxZn1‑xO膜层(4)的厚度h3及第四层Al2O3膜层(5)的厚度h4;3)采用双靶反应磁控共溅射方法在透明基材(1)上生长出第一层CdxZn1‑xO薄膜(2),厚度h1为15‑25nm;4)采用磁控溅射方法在第一层CdxZn1‑xO薄膜(2)上面生长第二层Al2O3薄膜(3),厚度h2为30‑50nm;5)采用双靶反应磁控共溅射方法在第二层Al2O3薄膜(3)上生长第三层CdxZn1‑xO薄膜(4),厚度h3为65‑95nm;6)采用磁控溅射方法在第三层CdxZn1‑xO薄膜(4)上面生长第四层Al2O3薄膜(5),厚度h4为80‑100nm;最终制备获得滤蓝光增透膜。
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