[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810276838.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108470802A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朱秀山 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括N电极，所述N电极包括相互连接的N电极主体部分和N电极延伸部分，且在所述N电极延伸部分对应区域的LED外延结构中至少设置有两个开口，所述开口依次贯穿所述P型外延层和量子阱层，直至暴露出N型外延层，所述N电极延伸部分覆盖暴露的N型外延层以及覆盖形成于所述开口的侧壁和保留的P型外延层的表面的绝缘层。则本发明的所述N电极延伸部分的下方保留了区域性的外延层，相当于增大了LED芯片的发光面积，从而能够增加LED芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 延伸 开口 制备 发光 绝缘层 量子阱层 区域性 外延层 暴露 保留 侧壁 覆盖 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底、依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层、P型外延层；位于所述N型外延层上的N电极，所述N电极包括相互连接的N电极主体部分和N电极延伸部分，其中，在所述N电极延伸部分对应区域的LED外延结构中至少设置有两个开口，所述开口依次贯穿所述P型外延层和量子阱层，直至暴露出N型外延层，所述N电极延伸部分覆盖暴露的N型外延层以及覆盖形成于所述开口的侧壁和保留的P型外延层的表面的绝缘层。
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