[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底、依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层、P型外延层；

位于所述N型外延层上的N电极，所述N电极包括相互连接的N电极主体部分和N电极延伸部分，其中，在所述N电极延伸部分对应区域的LED外延结构中至少设置有两个开口，所述开口依次贯穿所述P型外延层和量子阱层，直至暴露出N型外延层，所述N电极延伸部分覆盖暴露的N型外延层以及覆盖形成于所述开口的侧壁和保留的P型外延层的表面的绝缘层。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述开口的横截面的形状为方形或圆形。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述开口为等间距设置。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述开口的间距范围为10μm～50μm。

5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层。

6.如权利要求1至5任意一项所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括位于所述P型外延层上的P电极。

7.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底；依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；

刻蚀预设定N电极区域的LED外延结构，所述预设定N电极区域分为第一区域和与所述第一区域相连通的第二区域，所述第一区域为预设定N电极主体部分的区域，所述第二区域为预设定N电极延伸部分的区域，其中，在所述第二区域的LED外延结构中形成至少两个开口，所述开口依次贯穿所述P型外延层和量子阱层，直至暴露出N型外延层；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述开口的侧壁和所述第二区域中保留的P型外延层的表面；

形成N电极，所述N电极包括相互连接的N电极主体部分和N电极延伸部分，其中，所述N电极延伸部分覆盖所述暴露出的N型外延层和所述绝缘层。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述开口的横截面的形状为方形或圆形。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述开口为等间距设置。

10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述开口的间距范围为10μm～50μm。

11.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层。

12.如权利要求7至11任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述P型外延层上形成P电极。