[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201810272577.6 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109755176A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 郑志成;程世伟;张澐;蒋振劼;郑宗期 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在介电层上方形成第一掩模层，第一掩模层具有沟槽，沟槽具有内壁和底表面。此方法包含在第一沟槽中形成第二掩模层。此方法包含移除覆盖底表面的第二掩模层，以在第二掩模层中形成第二沟槽，第二沟槽暴露出底表面且在介电层的第一部分上方，留下的第二掩模层覆盖内壁。此方法包含移除第一部分、第一掩模层和第二掩模层，以在介电层中形成第三沟槽。此方法包含在第三沟槽中形成导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模层 介电层 半导体装置结构 移除 导电结构 覆盖内壁 内壁 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：在一介电层上方形成一第一掩模层，其中该第一掩模层具有一第一沟槽，且该第一沟槽具有一内壁和一底表面；在该第一沟槽中形成一第二掩模层；移除覆盖该底表面的该第二掩模层，以在该第二掩模层中形成一第二沟槽，其中该第二沟槽暴露出该底表面且在该介电层的一第一部分上方，且留下的该第二掩模层覆盖该内壁；移除该第一部分、该第一掩模层和该第二掩模层，以在该介电层中形成一第三沟槽；以及在该第三沟槽中形成一导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
