[发明专利]一种蚀刻设备有效
| 申请号： | 201810265647.5 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108520859B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李莎莎 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻设备，该蚀刻设备包括蚀刻腔，该蚀刻腔包括：上电极板，固定设置在该蚀刻腔的一侧部；下电极板，可活动地设置在该蚀刻腔相对的另一侧部，该下电极板包括靠近该蚀刻腔的底部的下端部和与该下端部对应的上端部，该下电极板以该下端部为转轴旋转，进而可使该下电极板在非蚀刻过程中与该上电极板之间呈垂直状态，在蚀刻过程中与该上电极板之间呈平行状态。通过上述方式，本发明能够提高蚀刻后产品质量的稳定性，同时降低设备维护成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻设备包括蚀刻腔，所述蚀刻腔包括：上电极板，固定设置在所述蚀刻腔的一侧部；下电极板，可活动地设置在所述蚀刻腔相对的另一侧部，所述下电极板包括靠近所述蚀刻腔的底部的下端部和与所述下端部对应的上端部，所述下电极板以所述下端部为转轴旋转，进而可使所述下电极板在非蚀刻过程中与所述上电极板之间呈垂直状态，在蚀刻过程中与所述上电极板之间呈平行状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
