[发明专利]一种蚀刻设备有效

专利信息
申请号: 201810265647.5 申请日: 2018-03-28
公开(公告)号: CN108520859B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 李莎莎 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 钟子敏
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 蚀刻 设备
【权利要求书】:

1.一种蚀刻设备,其特征在于,所述蚀刻设备包括蚀刻腔,所述蚀刻腔包括:

上电极板,固定设置在所述蚀刻腔的一侧部,且所述上电极板与所述侧部平行设置;

下电极板,可活动地设置在所述蚀刻腔的底部,所述下电极板包括靠近所述蚀刻腔的底部的下端部和与所述下端部对应的上端部,所述下电极板以所述下端部为转轴旋转,进而可使所述下电极板在非蚀刻过程中与所述上电极板之间呈垂直状态,在蚀刻过程中与所述上电极板之间呈平行状态。

2.根据权利要求1所述的蚀刻设备,其特征在于,所述蚀刻设备还包括一转轴,所述转轴设置在所述下端部,用于使所述下电极板绕所述转轴旋转,以改变所述下电极板的位置。

3.根据权利要求1所述的蚀刻设备,其特征在于,所述蚀刻腔还包括:

第一传送腔,与所述蚀刻腔的另一侧部连接,所述第一传送腔的空间大小可使所述下电极板与所述上电极板之间呈垂直状态过渡至所述下电极板与所述上电极板之间呈平行状态。

4.根据权利要求3所述的蚀刻设备,其特征在于,所述第一传送腔为圆弧形传送腔。

5.根据权利要求3所述的蚀刻设备,其特征在于,所述蚀刻设备还包括:

第二传送腔,与所述第一传送腔连接,用于传输待蚀刻的基板,且所述第二传送腔的高度小于所述蚀刻腔的高度。

6.根据权利要求5所述的蚀刻设备,其特征在于,所述下电极板的上端部所在的上端面用于容置所述待蚀刻的基板,所述上端面上设有基板固定结构,用于在所述下电极板绕所述转轴旋转过程中保持所述待蚀刻的基板的位置不变。

7.根据权利要求6所述的蚀刻设备,其特征在于,所述基板固定结构包括磁性固定结构、化学固定结构或机械固定结构中的一种或几种的组合。

8.根据权利要求7所述的蚀刻设备,其特征在于,所述机械固定结构包括卡合固定结构和/或压合固定结构。

9.根据权利要求7所述的蚀刻设备,其特征在于,所述机械固定结构的材质为金属和/或陶瓷。

10.根据权利要求1所述的蚀刻设备,其特征在于,第一传送腔与所述蚀刻腔之间设有屏蔽门,用于将所述蚀刻腔与所述第一传送腔分开,以维持所述蚀刻腔的蚀刻环境。

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