[发明专利]一种发光二极管芯片的制作方法、衬底及发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201810258743.7 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108470804A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 胡红坡;董彬忠;张奕;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制作方法、衬底及发光二极管芯片，属于半导体技术领域。方法包括：提供一衬底，衬底上设有多个呈阵列排列的凸起部，各个凸起部之间设有介质，介质的高度低于凸起部的高度；在各个凸起部上形成低温缓冲层；在各个低温缓冲层上横向生长，形成半导体层，位于各个低温缓冲层之间的半导体层与介质间隔设置形成相互连通的空腔；生长N型半导体层、有源层、P型半导体层；开设凹槽；设置N型电极和P型电极；将N型电极和P型电极固定在基板上；将衬底放入蚀刻液中，使蚀刻液通过空腔蚀刻各个凸起部上的低温缓冲层和各个低温缓冲层上的半导体层，分离衬底形成发光二极管芯片。本发明可提高芯片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 衬底 低温缓冲层 凸起部 半导体层 蚀刻液 空腔 半导体技术领域 蚀刻 横向生长 介质间隔 阵列排列 放入 基板 良率 源层 制作 连通 芯片 生长 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设有多个呈阵列排列的凸起部，各个所述凸起部之间设有用于抑制外延生长的介质，所述介质的高度低于所述凸起部的高度；在各个所述凸起部上形成低温缓冲层；在各个所述低温缓冲层上横向生长，形成铺设在各个所述低温缓冲层以及各个所述低温缓冲层之间的二维平面状的半导体层，位于各个所述低温缓冲层之间的半导体层与所述介质间隔设置形成相互连通的空腔；在所述半导体层上依次生长N型半导体层、有源层、P型半导体层；在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极，同时在所述P型半导体层上设置P型电极；将所述N型电极和所述P型电极固定在基板上；将所述衬底放入蚀刻液中，使所述蚀刻液通过所述空腔蚀刻各个所述凸起部上的低温缓冲层和各个所述低温缓冲层上的半导体层，分离衬底形成发光二极管芯片。
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