[发明专利]在非易失性存储器器件中写入的方法以及对应存储器器件在审

专利信息
申请号: 201810230965.8 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN108694982A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司
主分类号: G11C16/20 分类号: G11C16/20;G11C16/34
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 本公开涉及在非易失性存储器器件中写入的方法以及对应的非易失性存储器器件。一种在EEPROM类型的存储器中写入的方法包括在已经包含了旧字节的至少一个目的地存储器字中存在待写入存储器层面中的新字节的字串时,对于每个目的地存储器字验证是否必须采用新字节替换该目的地存储器字的所有旧字节。方法也包括只要并非必须采用新字节替换所有旧字节而读取该目的地存储器字的旧字节。
搜索关键词: 存储器字 非易失性存储器器件 写入 字节替换 读取 存储器层面 存储器器件 存储器 字串 验证
【主权项】:
1.一种根据非易失性存储器的存储器层面中的第一粒度写入的方法,所述存储器层面被布置为均存储多于一个字节的数据的存储器字,并且所述非易失性存储器被配置用于根据大于所述第一粒度的第二粒度来访问所述存储器层面,所述方法包括:在包含旧字节的目的地存储器字中接收待在所述存储器层面中写入的新字节的字串;验证是否必须采用新字节替换所述目的地存储器字的所有旧字节;如果不必采用新字节替换所有旧字节,则读取不必被替换的每个旧字节,并且将所述新字节与所述不必被替换的旧字节加载至中间寄存器中,由此形成所述目的地存储器字的新内容;如果必须采用新字节替换所有旧字节,则将所述新字节加载至所述中间寄存器中,由此形成所述目的地存储器字的新内容,而无需读取所述目的地存储器字的旧字节的任何先前操作;以及将所述目的地存储器字的新内容写入至所述存储器层面。
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