[发明专利]金属保护的扇出空腔在审
| 申请号： | 201810228776.7 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108630621A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | A.舒克曼;A.阿卢尔;张崇;K.达马维卡塔;R.梅;李声;S.C.查瓦利;邓一康 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及金属保护的扇出空腔。一种金属保护的扇出空腔使得能够实现层叠封装（PoP）集成电路的组装，同时减小PoP焊料间隔和总体z高度。水平扇出导体提供管芯触点与下封装通孔之间的接触。在制造期间可以使用金属保护层来保护扇出导体，诸如在激光刮削期间提供激光停止。金属保护层材料和蚀刻溶液可以被选择成允许后续经由蚀刻去除，同时使扇出导体不受损伤。金属保护层和扇出导体材料还可以被选择成减少或消除金属保护层与扇出导体之间的金属间化合物（IMC）的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出 金属保护层 导体 金属保护 焊料 蚀刻 金属间化合物 层叠封装 导体材料 激光停止 期间提供 蚀刻溶液 触点 刮削 管芯 减小 去除 通孔 封装 集成电路 损伤 激光 组装 制造 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，包括：布置在基板的空腔内的半导体管芯；至少一个导电互连，其部分地暴露在所述空腔内并且部分地嵌入在所述基板内；以及其中所述空腔是通过包括以下步骤的工艺形成的：在要形成所述空腔的区域中在所述至少一个导电互连之上形成保护层；在比要形成所述空腔的所述区域更大的区域中、在所述基板之上以及在所述保护层之上形成电介质层；激光切割所述空腔直到所述保护层；以及在所述空腔内蚀刻掉所述保护层以暴露所述至少一个导电互连的一部分。
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