[发明专利]光声基底评估系统和方法有效
| 申请号： | 201810216175.4 | 申请日： | 2014-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108565205B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 托德·默里;曼朱莎·梅赫代尔;迈克尔·科特扬斯基;罗宾·迈尔;普里亚·穆昆汗 | 申请（专利权）人： | 鲁道夫技术公司;科罗拉多州立大学董事会法人团体 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/78;G01N21/00;G01N21/17;G01N21/41;G01N21/95;G01N29/04;G01N29/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种用于识别形成到基底中的结构的一个或多个特征的系统和方法。在所述基底中诱发表面声波和体声波并使其行进通过其中感测到所述声波的所感兴趣的结构。将与所述结构的一个或多个特征有关的信息编码在所述波中。对所编码的信息进行评估以确定所述所感兴趣的特征。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 评估 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体芯片的方法，包括以下步骤：在晶片上形成结构，所述结构选自由通孔和柱状物组成的组；将激光引导到所述晶片的表面上以诱发体声波或表面声波中的至少一个穿过所述结构在所述晶片上的预期位置；根据所述晶片的表面的表面位移，确定与所述结构的结构特征相关的一个或多个频率；至少部分地基于对随时间变化的相关频率中的至少一个的检验来确定所述结构是否包括缺陷；只有所述结构缺少某些缺陷才对所述晶片进行背面研磨；以及将所述晶片分成单独的微芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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