[发明专利]光声基底评估系统和方法

权利要求书

1.一种制造半导体芯片的方法，包括以下步骤：

在晶片上形成结构，所述结构选自由通孔和柱状物组成的组；

将激光引导到所述晶片的表面上以诱发体声波或表面声波中的至少一个穿过所述结构在所述晶片上的预期位置；

根据所述晶片的表面的表面位移，确定与所述结构的结构特征相关的一个或多个频率；

至少部分地基于对随时间变化的相关频率中的至少一个的检验来确定所述结构是否包括缺陷；

只有所述结构缺少某些缺陷才对所述晶片进行背面研磨；以及

将所述晶片分成单独的微芯片。

2.如权利要求1所述的方法，其中所诱发的声波穿过由介电材料制成的至少一个介电层。

3.如权利要求2所述的方法，其中所诱发的声波穿过由导电材料制成的至少一个导电层，所述导电材料选自由以下各项组成的组：铝、铜、银、硒、铅、镍、金和/或锡化合物。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述至少一个导电层和所述至少一个介电层具有完全不同的声学特性，以使得在所述结构中行进的声波上施加有一个或多个频率，所述频率指示所述结构中的结构异常性或与所述结构相关的感兴趣尺寸中的至少一个。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述至少一个导电层和所述至少一个介电层具有完全不同的声学特性，以使得在所述结构中行进的声波上施加有一个或多个频率，所述频率指示所述结构的材料属性特征。

6.一种制造半导体芯片的方法，包括以下步骤：

在晶片上形成结构，所述结构选自由通孔和柱状物组成的组；

将第一激光脉冲在第一位置处引导到所述晶片的表面上以诱发表面声波穿过所述结构在所述晶片上的预期位置；

根据由所述表面声波引起的所述晶片的表面的表面位移，确定与所述结构的结构特征相关的一个或多个频率；

将第二激光脉冲在第三位置处引导到所述晶片的表面上以检测穿过所述结构的预期位置之后的表面声波；

至少部分地基于对随时间变化的相关频率中的至少一个的检验来确定所述结构是否包括缺陷；

只有所述结构缺少某些缺陷才对所述晶片进行背面研磨；以及

将所述晶片分成单独的微芯片。

7.如权利要求6所述的方法，其中所诱发的声波穿过由介电材料制成的至少一个介电层。

8.如权利要求7所述的方法，其中所诱发的声波穿过由导电材料制成的至少一个导电层，所述导电材料选自由以下各项组成的组：铝、铜、银、硒、铅、镍、金和/或锡化合物。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述至少一个导电层和所述至少一个介电层具有完全不同的声学特性，以使得在所述结构中行进的声波上施加有一个或多个频率，所述频率指示所述结构中的结构异常性或与所述结构相关的感兴趣尺寸中的至少一个。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述至少一个导电层和所述至少一个介电层具有完全不同的声学特性，以使得在所述结构中行进的声波上施加有一个或多个频率，所述频率指示所述结构的材料属性特征。