[发明专利]阵列基板及其制备方法，以及显示装置有效
| 申请号： | 201810215915.2 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108376672B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 杨维;卢鑫泓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了阵列基板及其制备方法，以及显示装置。阵列基板的衬底上设置有第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，和位于走线区的凹槽，所述凹槽包括第一子凹槽以及第二子凹槽，所述方法包括：采用同一次构图工艺形成所述第一过孔和位于所述第一子凹槽；以及采用同一次构图工艺形成所述第二过孔和所述第二子凹槽。由此可以避免同步形成两个过孔时，由于两个过孔深度不同而导致的有源层过刻问题，且不会造成生产制程的延长。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种制备阵列基板的方法，其特征在于，所述阵列基板的衬底上设置有第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，和位于走线区的凹槽，所述凹槽包括第一子凹槽以及第二子凹槽，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源漏极，所述第一源漏极通过第一过孔与所述第一有源层相连，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源漏极，所述第二源漏极通过第二过孔与所述第二有源层相连，所述方法包括：采用同一次构图工艺形成所述第一过孔和所述第一子凹槽；以及采用同一次构图工艺形成所述第二过孔和所述第二子凹槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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