[发明专利]蚀刻金属工件的方法和显示面板的制作方法有效
| 申请号： | 201810215208.3 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108417490B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 白金超;韩笑;丁向前;王静;宋勇志 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻金属工件以使之具有所需外形的方法和显示面板的制作方法，蚀刻金属工件的方法包括：对蚀刻液施加沿第一方向的第一电场，以改变蚀刻液中的金属离子浓度在所述第一方向上的分布，进而改变所述金属工件的表面在所述第一方向上的不同位置的蚀刻速度。本发明利用铜刻蚀机理中腐蚀电位的原理，在刻蚀过程中，利用电场引导金属离子在刻蚀液中形成浓度梯度或浓度分布，从而达到改变金属层不同位置的刻蚀速率、改善金属线坡度角的目的，提高刻蚀均一性和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 金属 工件 方法 显示 面板 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻金属工件以使之具有所需外形的方法，其特征在于，包括：对蚀刻液施加沿第一方向的第一电场，以改变蚀刻液中的金属离子浓度在所述第一方向上的分布，进而改变所述金属工件的表面在所述第一方向上的不同位置的蚀刻速度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810215208.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SRAM存储器及其形成方法
- 下一篇：一种减少铝腐蚀的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
