[发明专利]包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810190432.1 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108573955B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张宏光;卡尔·J·拉登斯;L·A·克莱文杰 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法，其揭示是有关一种集成电路结构及形成该集成电路结构的方法。该集成电路结构可包含：第一金属层，该第一金属层包含第一介电层内的第一金属线；第二金属层，该第二金属层包含第二介电层内的第二金属线，该第二金属层是在该第一金属层上方；第一通孔互连结构，延伸通过该第一金属层且通过该第二金属层，其中，该第一通孔互连结构邻接该第一金属线的第一侧端及该第二金属线的第一侧端，以及其中，该第一通孔互连结构是垂直均匀结构且包含第一金属。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 互连 结构 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包含：第一金属层，该第一金属层包含第一介电层内的第一金属线；第二金属层，该第二金属层包含第二介电层内的第二金属线，该第二金属层是在该第一金属层上方；第一通孔互连结构，延伸通过该第一金属层且通过该第二金属层，其中，该第一通孔互连结构邻接该第一金属线的第一侧端及该第二金属线的第一侧端，以及其中，该第一通孔互连结构是垂直均匀结构且包含第一金属。
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