[发明专利]三维半导体器件及其形成方法

摘要

提供一种三维半导体器件及其形成方法。三维半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一主分离图案和第二主分离图案，设置在基板上并交叉第一区域和第二区域；栅电极，设置在第一主分离图案与第二主分离图案之间并且形成堆叠栅极组，栅电极顺序地堆叠在第一区域上并且在从第一区域到第二区域的方向上延伸；以及至少一个次分离图案，设置在第二区域上、设置在第一主分离图案与第二主分离图案之间、并且穿透设置在第二区域上的栅电极。栅电极包括在第二区域上的焊盘部分，焊盘部分比设置在第一区域上的栅电极更厚并与至少一个次分离图案接触。

主权项

1.一种三维半导体器件，包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一栅电极和第二栅电极，顺序地堆叠在所述基板的所述第一区域上并且平行于所述基板的表面且在从所述第一区域到所述第二区域的第一方向上延伸，所述第一栅电极和所述第二栅电极中的每个包括设置在所述第一区域上的第一单元栅极部分以及在所述第一方向上从所述第一单元栅极部分延伸的第一栅极延伸部分和第二栅极延伸部分，所述第一栅电极包括第一焊盘部分，并且所述第二栅电极包括第二焊盘部分；以及沟道结构，设置在所述基板的所述第一区域中并穿透所述第一栅电极和所述第二栅电极，其中所述第二栅电极的所述第二焊盘部分设置在所述第二栅电极的所述第二栅极延伸部分的端部上，其中所述第二栅电极包括设置在所述第二栅电极的所述第一栅极延伸部分的端部上的突出部分。