[发明专利]一种半导体激光器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810189195.7 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108551077A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 胡海;何晋国 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/30 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 贾凤涛 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体激光器件及其制作方法。该半导体激光器件包括层叠设置的芯片、焊料层与热沉；其中，芯片包括第一电极和第二电极，第一电极设置于第二电极上，第二电极设置于焊料层上，第一电极和第二电极的侧壁设置一沟槽，沟槽的深度大于焊料层挤出的高度；沟槽的表面设置一绝缘层，绝缘层用以隔绝焊料层与第一电极的接触。通过上述方式，本申请能够有效地防止焊料层与第一电极的直接接触，避免了第一电极与第二电极连通而造成的芯片短路问题，提高了半导体激光器件的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 第一电极 第二电极 焊料层 半导体激光器件 绝缘层 芯片 表面设置 层叠设置 短路问题 成品率 有效地 侧壁 热沉 申请 制作 连通 挤出 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，其特征在于，包括层叠设置的芯片、焊料层与热沉；其中，所述芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述第二电极上，所述第二电极设置于所述焊料层上，所述第一电极和所述第二电极的侧壁设置一沟槽，所述沟槽的深度大于所述焊料层挤出的高度；所述沟槽的表面设置一绝缘层，所述绝缘层用以隔绝所述焊料层与所述第一电极的接触。
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