[发明专利]一种半导体激光器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种半导体激光器件及其制作方法。该半导体激光器件包括层叠设置的芯片、焊料层与热沉；其中，芯片包括第一电极和第二电极，第一电极设置于第二电极上，第二电极设置于焊料层上，第一电极和第二电极的侧壁设置一沟槽，沟槽的深度大于焊料层挤出的高度；沟槽的表面设置一绝缘层，绝缘层用以隔绝焊料层与第一电极的接触。通过上述方式，本申请能够有效地防止焊料层与第一电极的直接接触，避免了第一电极与第二电极连通而造成的芯片短路问题，提高了半导体激光器件的成品率和可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造领域，特别是涉及一种半导体激光器件及其制作方法。

背景技术

由于芯片与焊料烧结的过程是在高温条件下，因此芯片上的金属和焊料会发生融合，焊料处于熔融状态，芯片由于重力作用或者外部加压力下沉，这个过程中，焊料往往被挤压、在芯片两侧溢出，而焊料被挤出部分，往往堆积在芯片的两侧，堆积的高度大于芯片PN结位置，从而导致芯片侧壁的N型半导体区域和焊料直接接触；由于焊料是导电材料，致使芯片P面金属电极和N面金属电极通过焊料和N型半导体区域连接，造成短路，芯片报废。

发明内容

本申请主要解决的问题是提供一种半导体激光器件及其制作方法，能够有效地防止焊料层与第一电极的直接接触，避免了第一电极与第二电极连通而造成的芯片短路问题，提高了半导体激光器件的成品率和可靠性。

为解决上述技术问题，本申请采用的技术方案是提供一种半导体激光器件，该半导体激光器件包括层叠设置的芯片、焊料层与热沉；其中，芯片包括第一电极和第二电极，第一电极设置于第二电极上，第二电极设置于焊料层上，第一电极和第二电极的侧壁设置一沟槽，沟槽的深度大于焊料层挤出的高度；沟槽的表面设置一绝缘层，绝缘层用以隔绝焊料层与第一电极的接触。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一技术方案是提供一种半导体激光器件的制作方法，该半导体激光器件的制作方法包括提供一热沉；在芯片的第一电极和第二电极的侧壁蚀刻沟槽；利用焊料连接芯片与热沉；其中，芯片包括第一电极和第二电极，第一电极设置于第二电极上，第二电极设置于焊料层上，沟槽的深度大于焊料挤出的高度；沟槽的表面具有一绝缘层，绝缘层用以隔绝焊料层与第一电极的接触。

通过上述方案，本申请的有益效果是：本申请通过在芯片的第一电极和第二电极的侧壁设置一沟槽，并使得沟槽的深度大于焊料层挤出的高度；沟槽的表面设置一绝缘层，绝缘层用以隔绝焊料层与第一电极的接触，能够有效地防止焊料层与第一电极的直接接触，防止出现第一电极与第二电极连通造成的芯片短路问题，提高了半导体激光器件的成品率和可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是现有技术中半导体激光器件的结构示意图；

图2是本申请提供的半导体激光器件一实施例的结构示意图；

图3是本申请提供的半导体激光器件一实施例中沟槽的结构示意图；

图4是本申请提供的半导体激光器件另一实施例的结构示意图；

图5是本申请提供的半导体激光器件的制作方法一实施例的流程示意图；

图6是本申请提供的半导体激光器件的制作方法一实施例中半导体激光器件的结构示意图；

图7是本申请提供的半导体激光器件的制作方法一实施例中Bar条的结构示意图。

具体实施方式