[发明专利]一种半导体激光器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810189195.7 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108551077A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 胡海;何晋国 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/30 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 贾凤涛 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一电极 第二电极 焊料层 半导体激光器件 绝缘层 芯片 表面设置 层叠设置 短路问题 成品率 有效地 侧壁 热沉 申请 制作 连通 挤出 | ||
1.一种半导体激光器件，其特征在于，包括层叠设置的芯片、焊料层与热沉；
其中，所述芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述第二电极上，所述第二电极设置于所述焊料层上，所述第一电极和所述第二电极的侧壁设置一沟槽，所述沟槽的深度大于所述焊料层挤出的高度；所述沟槽的表面设置一绝缘层，所述绝缘层用以隔绝所述焊料层与所述第一电极的接触。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，
所述沟槽的形状为矩形、梯形或弧形，所述沟槽的深度为2-10μm。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，
所述芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层设置于所述第二电极上。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器件，其特征在于，
所述沟槽的底部与所述电流阻挡层连接，所述第二电极与所述热沉通过所述焊料层连接。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器件，其特征在于，
所述第一电极包括第一金属层和第一半导体层，所述第一金属层设置于所述第一半导体层上；所述第二电极包括第二金属层和第二半导体层，所述第二半导体层设置于所述第二金属层上，所述电流阻挡层至少部分覆盖所述第二金属层。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，
所述第一电极为所述芯片的阴极，所述第二电极为所述芯片的阳极。
7.一种半导体激光器件的制作方法，其特征在于，包括
提供一热沉；
在芯片的第一电极和第二电极的侧壁蚀刻沟槽；
利用焊料连接所述芯片与所述热沉；
其中，所述芯片包括所述第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述第二电极上，所述第二电极设置于焊料层上，所述沟槽的深度大于所述焊料挤出的高度；所述沟槽的表面具有一绝缘层，所述绝缘层用以隔绝所述焊料层与所述第一电极的接触。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，
采用化学湿法蚀刻和干法蚀刻控制所述沟槽的深度，以使得所述沟槽的深度大于所述焊料的厚度。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，
所述沟槽的形状为矩形、梯形或弧形，所述沟槽的深度为2-10μm。
10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，
所述第一电极为所述芯片的阴极，所述第二电极为所述芯片的阳极。
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