[发明专利]倒装发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810183224.9 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108767081B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 熊伟平;钟秉宪;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种倒装发光二极管及其制作方法，其结构自上而下包含：透明衬底、透明键合层、外延结构、第一和第二金属电极，所述外延结构包含一p型半导体层、有源层、n型半导体层，其中n型半导体层及有源层的一部分被蚀刻，露出p型半导体层的一部分，所述第一和第二金属电极分别设置于所述n型半导体层及p型半导体层之上，所述p型半导体层与透明键合层接触的面经图形化粗化处理，其中芯片边缘未粗化，形成保护框。本发明增强了键合强度，避免粗化面与透明键合层之间的空洞吸入溶剂或水汽，提高芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 透明键 合层 倒装发光二极管 金属电极 外延结构 源层 蚀刻 粗化处理 芯片边缘 水汽 粗化面 图形化 溶剂 衬底 粗化 键合 面经 吸入 制作 空洞 芯片 透明 | ||
【主权项】：
1.倒装发光二极管，其结构自上而下包含：透明衬底、透明键合层、外延结构、第一和第二金属电极，所述外延结构包含一p型半导体层、有源层、n型半导体层，其中n型半导体层及有源层的一部分被蚀刻，露出p型半导体层的一部分，所述第一和第二金属电极分别设置于所述n型半导体层及p型半导体层之上，所述p型半导体层与透明键合层接触的面经图形化粗化处理，其中芯片边缘未粗化。/n
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