[发明专利]倒装发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.倒装发光二极管，其结构自上而下包含：透明衬底、透明键合层、外延结构、第一和第二金属电极，所述外延结构包含一p型半导体层、有源层、n型半导体层，其中n型半导体层及有源层的一部分被蚀刻，露出p型半导体层的一部分，所述第一和第二金属电极分别设置于所述n型半导体层及p型半导体层之上，所述p型半导体层与透明键合层接触的面经图形化粗化处理，其中芯片边缘未粗化。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述透明衬底为蓝宝石或玻璃透明材料。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一和第二金属电极分别于n型半导体层与p型半导体层形成欧姆接触，同时作为封装焊接电极。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述p型半导体层与透明键合层接触的面经粗化处理，粗化前采用光刻工艺形成保护图形，芯片边缘一圈被保护，将不被粗化，未粗化部分自芯片边缘向内缩。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述芯片边缘未粗化的部分自芯片边缘向内缩的宽度为10-50微米。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述透明键合层采用电子束蒸镀或磁控溅射方法沉积于所述的p型半导体层粗化面，经抛光处理后形成平坦面。

7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：位于所述第二金属电极上方的p型半导体层未进行粗化。

8.倒装发光二极管的制作方法，其步骤包括：提供一倒装发光二极管外延结构，在所述倒装发光二极管外延结构表面进行图形化粗化处理，其含有部分未粗化区域，在所述粗化处理后的外延结构表面沉积透明键合层，对所述透明键合层进行抛光处理，将上述处理过后的倒装外延结构键合转移至透明衬底，对应所述粗化处理的图形依次形成第一和第二金属电极，经切割形成独立的倒装发光二极管芯片，芯片边缘未粗化，形成保护框。

9.根据权利要求8所述的倒装发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的粗化为随机粗化。

10.根据权利要求8所述的倒装发光二极管的制作方法，其特征在于：所述未粗化区域依据发光二极管芯片尺寸及形状形成位于芯片边缘的边框。