[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201810167630.6 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110211920A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;蒋鑫;钟伯琛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成金属连接层，并在金属连接层上形成盖层；形成低k介电层，低k介电层形成于盖层的上方，在低k介电层上形成层间介质层，并在层间介质层上形成硬掩膜层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀层间介质层以形成连接孔，暴露低k介电层；形成覆盖连接孔的内壁的侧墙；和除去暴露的低k介电层和硬掩膜层。避免低k介电层出现刻蚀过度产生的缺陷，保证了低k介电层结构尺寸的规整。 | ||
| 搜索关键词： | 低k介电层 硬掩膜层 半导体器件 金属连接层 介质层 连接孔 盖层 层间介质层 规整 刻蚀层 暴露 侧墙 衬底 介电 内壁 掩膜 半导体 覆盖 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成金属连接层，并在所述金属连接层上形成盖层；形成低k介电层，所述低k介电层形成于所述盖层的上方，在所述低k介电层上形成层间介质层，并在所述层间介质层上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述层间介质层以形成连接孔，暴露所述低k介电层；形成覆盖所述连接孔的内壁的侧墙；和除去暴露的所述低k介电层和所述硬掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
