[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为抑制在衬底上形成膜时的膜厚降低现象的发生。具有将非同时地进行下述(a)工序和下述(b)工序的循环进行规定次数，从而在图案上形成包含主元素、碳及氮的膜的工序：(a)对表面上形成有图案的衬底供给包含构成待形成的膜的主元素的原料，从而形成包含主元素的第一层的工序，和(b)对衬底供给包含碳及氮的第一反应物，使第一反应物的一部分分解而成的物质吸附在第一层上，从而形成包含主元素、碳及氮的第二层的工序，在(b)中，供给第一反应物，直至在图案的至少上表面、侧面及下表面的每个上形成的所述物质的吸附层的密度分别相等。

主权项

1.半导体器件的制造方法，具有将非同时地进行下述(a)工序和下述(b)工序的循环进行规定次数从而在图案上形成包含主元素、碳及氮的膜的工序：(a)对表面上形成有所述图案的衬底供给包含构成待形成的膜的所述主元素的原料，从而形成包含所述主元素的第一层的工序，和(b)对所述衬底供给包含碳及氮的第一反应物，使所述第一反应物的一部分分解而成的物质吸附在所述第一层上，从而形成包含所述主元素、碳及氮的第二层的工序，在所述(b)中，供给所述第一反应物，直至在所述图案的至少上表面、侧面及下表面的每个面上形成的所述物质的吸附层的密度分别相等。