[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为抑制在衬底上形成膜时的膜厚降低现象的发生。具有将非同时地进行下述(a)工序和下述(b)工序的循环进行规定次数，从而在图案上形成包含主元素、碳及氮的膜的工序：(a)对表面上形成有图案的衬底供给包含构成待形成的膜的主元素的原料，从而形成包含主元素的第一层的工序，和(b)对衬底供给包含碳及氮的第一反应物，使第一反应物的一部分分解而成的物质吸附在第一层上，从而形成包含主元素、碳及氮的第二层的工序，在(b)中，供给第一反应物，直至在图案的至少上表面、侧面及下表面的每个上形成的所述物质的吸附层的密度分别相等。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行对衬底非同时地供给原料和反应物、在衬底上形成膜的处理(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-140944号公报

发明内容

发明要解决的课题

当在表面上形成有图案的衬底上来形成膜的情况下，与在表面上没有形成图案的衬底上形成膜的情况相比，存在发生所形成的膜的膜厚变薄的现象(以下，也将这种现象称为膜厚降低现象(film thickness drop phenomenon))的情况。

本发明的目的在于，提供一种当在表面上形成有图案的衬底上形成膜时能够抑制发生膜厚降低现象的技术。

用于解决课题的手段

据本发明的一个方案，提供一种技术，其具有将非同时地进行下述(a)工序和下述(b)工序的循环进行规定次数，从而在图案上形成包含主元素、碳及氮的膜的工序：

(a)对表面上形成有所述图案的衬底供给包含构成待形成的膜的所述主元素的原料，从而形成包含所述主元素的第一层的工序，和

(b)对所述衬底供给包含碳及氮的第一反应物，使所述第一反应物的一部分分解而成的物质吸附在所述第一层上，从而形成包含所述主元素、碳及氮的第二层的工序，

在所述(b)中，供给所述第一反应物，直至在所述图案的至少上表面、侧面及下表面的每个面上形成的所述物质的吸附层的密度分别相等。

发明效果

根据本发明，能够抑制在衬底上形成膜时的膜厚降低现象的发生。

附图说明

图1为本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，且是以纵剖面图示出处理炉部分的图。

图2为本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的一部分的概略构成图，且是以图1的A-A线剖面图表示处理炉的一部分的图。

图3为本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，且是以框图表示控制器的控制系统的图。

图4中的(a)为表示本发明的一实施方式的成膜顺序的图，(b)为表示本发明的一实施方式的成膜顺序的变形例的图。

图5中的(a)为表面上形成有图案的衬底的剖面放大图，(b)为表示对表面上形成有图案的衬底供给原料后的状态的示意图，(c)、(d)分别为表示对表面上形成有图案的衬底依次供给原料、反应物后的状态的示意图。

图6中的(a)～(c)分别为表示在衬底上形成的膜的膜厚的评价结果的图。

200 晶片(衬底)

200a 图案的上表面