[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，具有将非同时地进行下述(a)工序和下述(b)工序的循环进行规定次数从而在图案上形成包含主元素、碳及氮的膜的工序：

(a)对表面上形成有所述图案的衬底供给包含构成待形成的膜的所述主元素的原料，从而形成包含所述主元素的第一层的工序，和

(b)对所述衬底供给包含碳及氮的第一反应物，使所述第一反应物的一部分分解而成的物质吸附在所述第一层上，从而形成包含所述主元素、碳及氮的第二层的工序，

在所述(b)中，供给所述第一反应物，直至在所述图案的至少上表面、侧面及下表面的每个面上形成的所述物质的吸附层的密度分别相等，

将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为比每一循环的(a)中的所述原料的供给时间长。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，供给所述第一反应物，直至在所述图案的至少上表面、侧面及下表面的每个面上形成的所述物质的吸附层的氮浓度及碳浓度中的至少任一者分别相等。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环进一步包含：

与(a)、(b)的每个工序非同时地进行(c)对所述衬底供给包含氧的第二反应物，从而将所述第二层氧化，形成包含所述主元素、氧、碳及氮的第三层的工序。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为每一循环的(a)中的所述原料的供给时间的2倍以上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为每一循环的(a)中的所述原料的供给时间的4倍以上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为每一循环的(a)中的所述原料的供给时间的10倍以上。

7.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为比每一循环的(c)中的所述第二反应物的供给时间长。

8.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为每一循环的(c)中的所述第二反应物的供给时间的1.5倍以上。

9.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为每一循环的(c)中的所述第二反应物的供给时间的3倍以上。

10.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为每一循环的(c)中的所述第二反应物的供给时间的5倍以上。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为每一循环的(a)中的所述原料的供给时间的20倍以下。

12.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，将每一循环的(b)中的所述第一反应物的供给时间设为每一循环的(c)中的所述第二反应物的供给时间的20倍以下。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在一个循环中的(b)中，分开供给所述第一反应物。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在一个循环中的所述(b)中，将所述第一反应物的供给、和所述衬底存在的空间的吹扫交替重复多次。