[发明专利]源极的制作方法及半导体器件

摘要

本发明涉及源极的制作方法及半导体器件，其中，源极的制作方法包括在半导体基底上方形成多个栅极结构，多个栅极结构具有第一间隙和第二间隙，第一间隙的宽度小于同一方向的第二间隙的宽度；在栅极结构上方依次形成介质层和刻蚀阻挡层；刻蚀介质层直至去除所述第一间隙中的介质层，同时第二间隙仍被介质层覆盖；接着刻蚀第一间隙的半导体基底以形成第二凹槽，去除剩余的刻蚀阻挡层和介质层；然后进行离子注入以在所述第二凹槽的区域形成源极。上述源极的制作方法省去了光罩工艺，从而有利于降低成本。本发明还提供了包括上述方法形成的源极的半导体器件。

主权项

1.一种源极的制作方法，其特征在于，包括：在半导体基底上方形成多个栅极结构，所述多个栅极结构具有第一间隙和第二间隙，所述第一间隙的宽度小于同一方向的所述第二间隙的宽度；在所述栅极结构上方形成介质层，所述介质层的位于所述第二间隙的上表面为凹面，定义所述凹面包围的区域为第一凹槽；形成刻蚀阻挡层，使所述刻蚀阻挡层填满所述第一凹槽；刻蚀所述介质层，直至去除所述第一间隙中的所述介质层，同时所述第二间隙的底面仍被所述介质层覆盖；刻蚀位于所述第一间隙的所述半导体基底以形成第二凹槽；去除剩余的所述刻蚀阻挡层和所述介质层；以及进行离子注入，以在所述第二凹槽的区域形成源极。