[发明专利]激光增强等离子体CVD制备单晶金刚石装置及其方法有效
| 申请号： | 201810159834.5 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108251892B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 武迪;陈贞君;郑大平;朱瑞;肖景阳 | 申请（专利权）人： | 湖北碳六科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00;C23C16/48;C23C16/27 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 443400 湖北省宜*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光增强等离子体CVD制备单晶金刚石装置及其方法，所述装置包括等离子体CVD设备和激光设备；所述激光设备多于1个，分别位于所述等离子体CVD设备圆柱腔体外侧，所述激光设备发射的激光能够照射到位于等离子体CVD设备腔体中的基片台；所述基片台位于等离子体CVD设备腔体的中部，基片台下部设有冷却水循环系统，包括冷却水入口和冷却水出口；所述等离子体CVD设备腔体底部设有原料进气口和抽气口。所述方法结合微波能(或电能)和激光两种能量，利用低成本的高能量激光提高金刚石合成过程中等离子体的能量和气体离解速率，从而提高金刚石的合成速率，该方法有效解决了金刚石高速批量制备的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 增强 等离子体 cvd 制备 金刚石 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光增强等离子体CVD制备单晶金刚石装置，包括等离子体CVD设备和激光设备，其特征在于：所述激光设备多于1个，分别位于所述等离子体CVD设备圆柱腔体外侧，所述激光设备发射的激光能够照射到位于等离子体CVD设备腔体中的基片台；所述基片台位于等离子体CVD设备腔体的中部，基片台下部设有冷却水循环系统，包括冷却水入口和冷却水出口；所述等离子体CVD设备腔体底部设有原料进气口和抽气口。
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