[发明专利]有带对准栅电极的垂直晶体管的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810156564.2 | 申请日： | 2018-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108511526A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 朴星一;金昶熹;李允逸;M.坎托罗;刘庭均;李东勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底上的有源柱。第一源极/漏极区设置在有源柱的顶端处并具有比有源柱更大的宽度。第一绝缘层设置在有源柱的侧壁上，第二绝缘层至少设置在第一源极/漏极区的底表面上。栅电极设置在第一绝缘层和第二绝缘层上。第二源极/漏极区在有源柱的底端处设置在衬底中。还描述了制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 源极/漏极区 半导体器件 栅电极 衬底 垂直晶体管 顶端处 侧壁 底端 制造 对准 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上的有源柱；第一源极/漏极区，其在所述有源柱的顶端处并具有比所述有源柱更大的宽度；第一绝缘层，其在所述有源柱的侧壁上；第二绝缘层，其至少在所述第一源极/漏极区的底表面上；栅电极，其在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上；以及第二源极/漏极区，其在所述有源柱的底端处在所述衬底中。
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