[发明专利]异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 201810153959.7 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108461540B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;小屋茂树;大部功 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材料的电子亲和力比渐变集电极层的能带隙最大的位置处的半导体材料的电子亲和力大，它们的差为0.15eV以下。渐变集电极层具有在使电场强度变化时，在某个电场强度下电子的移动速度示出峰值的特性。由渐变集电极层的能带隙的变化引起而作用于电子的伪电场的强度是电子的移动速度示出峰值的电场强度亦即峰值电场强度的0.3倍以上1.8倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极晶体管，其中，在基板上形成有包含集电极层、p型的基极层以及n型的发射极层的层叠结构，上述集电极层包含高浓度集电极层和低浓度集电极层，上述低浓度集电极层与上述高浓度集电极层相比掺杂浓度低，并且上述低浓度集电极层被配置在上述基极层与上述高浓度集电极层之间，上述低浓度集电极层包含随着远离上述基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层，上述基极层的半导体材料的电子亲和力比上述渐变集电极层的能带隙最大的位置处的半导体材料的电子亲和力大，它们的差为0.15eV以下，上述渐变集电极层由具有在使电场强度变化时，在某个电场强度下电子的移动速度示出峰值的特性的半导体材料形成，由上述渐变集电极层的能带隙的变化引起而作用于电子的伪电场的强度是电子的移动速度示出峰值的电场强度亦即峰值电场强度的0.3倍以上1.8倍以下。
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