[发明专利]嵌入式多管芯互连桥在审
申请号: | 201810148363.8 | 申请日: | 2018-02-13 |
公开(公告)号: | CN108573954A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | A·孙达拉姆 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本公开内容涉及通信地耦合两个或更多个管芯的互连桥的设备和技术。在例子中,互连桥可包括具有第一材料的基底元件。包括第二材料的第一层可附接到基底元件。包括第三材料的第二层可布置在第一层上。二维电子气体(2DEG)可位于第一层和第二层之间。适于电气地耦合到第一管芯的第一接触部可布置在2DEG的第一侧中。适于电气地耦合到第二管芯的第二接触部可布置在2DEG的第二侧中。相应地,第一管芯可通过2DEG电气地耦合到第二管芯。 | ||
搜索关键词: | 第一层 电气地 耦合到 管芯 基底元件 第二管 互连桥 二维电子气体 第二材料 第一材料 耦合 多管芯 嵌入式 互连 通信 | ||
【主权项】:
1.一种用于通信地耦合电子封装的两个或更多个管芯的互连桥,所述互连桥包括:基底元件,其包括第一材料,其中所述基底元件能够附接到被配置成支撑第一管芯和第二管芯的衬底;第一层,其附接到所述基底元件,其中所述第一层包括第二材料;第二层,其布置在所述第一层上,其中所述第二层包括第三材料;二维电子气体(2DEG),其位于所述第一层和所述第二层之间;第一接触部,其布置在所述2DEG的第一侧中,所述第一接触部适于电气地耦合到所述第一管芯;以及第二接触部,其在离所述第一接触部的一定距离处布置在所述2DEG的第二侧中,所述第二接触部适于电气地耦合到所述第二管芯,其中所述第一接触部通过所述2DEG电气地耦合到所述第二接触部。
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